בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
CXDM1002N TR PBFREE
Product Overview
יצרן:
Central Semiconductor Corp
DiGi Electronics מספר חלק:
CXDM1002N TR PBFREE-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
מלאי:
2739 יחידות חדשות מק originales במלאי
12789624
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
CXDM1002N TR PBFREE מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Central Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
300mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6 nC @ 5 V
VGS (מקס')
20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
550 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-89
חבילה / מארז
TO-243AA
מספר מוצר בסיסי
CXDM1002
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
CXDM1002N
משאבי עיצוב
CXDM1002N Spice Model
מידע נוסף
שמות אחרים
CXDM1002N DKR
CXDM1002N TR LEAD FREE
1514-CXDM1002NTRPBFREETR
CXDM1002N CT
CXDM1002N TR
1514-CXDM1002NTRPBFREEDKR
CXDM1002N DKR-DG
1514-CXDM1002NTRPBFREECT
CXDM1002NTR-DG
CXDM1002NCT
CXDM1002NCT-DG
CXDM1002N CT-DG
CXDM1002NDKR
CXDM1002NTR
CXDM1002N TR-DG
CXDM1002NDKR-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CDM7-650 TR13 PBFREE
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
CXDM4060N TR PBFREE
MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
CSD19533Q5A
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON